【电院讯 马占红、马天宇/文、图】2026年8月26日，自治区重点研发计划项目“高性能宽谱GaN-TMDCs垂直异质结光电探测集成芯片研发”启动会在怀远校区德言楼309会议室顺利召开。项目主管单位领导、行业评审专家、各承担单位代表及项目组师生共同参会，会议由学院副院长李春树教授主持。

该项目由宁夏大学牵头，联合宁夏贺岩微电子有限公司共同承担。面向宽谱光电探测集成芯片领域的关键技术瓶颈，项目围绕自支撑GaN薄膜与二维TMDCs材料制备、GaN/TMDCs垂直异质结构建与界面调控、宽谱光电探测集成芯片制造与测试、高速读出系统集成与图像识别验证等核心内容开展系统攻关，旨在为区域半导体产业发展及国家光电探测芯片自主可控提供有力技术支撑。

启动会上，项目负责人马占红汇报了项目总体实施方案，系统阐述了项目背景、研究目标、总体技术路线、三项课题分工、2026—2028年度计划、考核指标、组织实施及经费安排。合作单位宁夏贺岩微电子有限公司课题负责人王小杰、校内子课题负责人杨向红分别就各自承担任务的研究内容、年度计划及组织实施方案作了详细汇报。

来自北方民族大学、宁夏大学等单位的孙学宏教授、杨尚林教授、马鑫教授，围绕材料与异质界面调控、器件性能提升、阵列集成工艺、高速读出系统、系统验证方案、风险控制及成果产出等方面进行了点评与质询并提出了建设性指导意见。

会议传达了宁夏科技厅2026年高新技术领域新立项科技计划项目廉政预警谈话及政策解读会议的核心内容。项目负责人马占红就廉政建设要求及政策落实作了具体部署，强调项目组务必严守科研纪律，规范经费使用，确保项目全过程合规高效推进。

项目团队表示，将充分吸纳专家意见，进一步优化实施方案，明确分工与评价机制，依托校企多方优势紧密协作，全力攻克高性能宽谱GaN-TMDCs垂直异质结光电探测集成芯片的核心技术难题，产出具有自主知识产权且可落地应用的技术成果，高质量完成项目既定目标，为服务半导体光电芯片产业发展贡献积极力量。